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構(gòu)筑S型Co3O4/g-C3N4異質(zhì)結(jié)以增強光催化產(chǎn)氫性能
發(fā)布時間:2023-05-27    瀏覽量:1712

1.文章信息

標題:   Construction of S-scheme Co3O4/g-C3N4 heterojunctions with boosted photocatalytic H2 production performance          

中文標題:     構(gòu)筑S型Co3O4/g-C3N4異質(zhì)結(jié)以增強光催化產(chǎn)氫性能     

頁碼:  102838   

DOI:   10.1016/j.surfin.2023.102838       

2. 文章鏈接

https://doi.org/10.1016/j.surfin.2023.102838

3. 期刊信息

期刊名:     Surfaces and Interfaces       

ISSN:    2468-0230       

2022年影響因子:     6.14    

分區(qū)信息:     JCR分區(qū)(Q1),中科院2區(qū)         

涉及研究方向:  材料科學  

4. 作者信息:第一作者是  四川輕化工大學,許正東 。通訊作者為 四川輕化工大學鐘俊波教授和李敏嬌教授。

5.光反應(yīng)儀型號:CEL-PEAM-D6;氣相色譜型號:GC7920

文章簡介:

人們普遍認為采用環(huán)境兼容和可再生能源轉(zhuǎn)換的方案是長期可持續(xù)發(fā)展的最佳選擇。在緩解能源危機的眾多能源中,氫能因其存儲、運輸方便、能量密度高等諸多優(yōu)勢而被人們普遍接受。目前,大多數(shù)制氫技術(shù)仍依賴于化石能源消耗。因此,如何加速制氫方案轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)具有非凡的意義。利用太陽能光催化裂解水產(chǎn)生氫氣是最理想的方法之一,因為太陽能是取之不盡、無污染的。光催化法制備氫氣的純度高,可直接利用。此外,光催化技術(shù)也被廣泛應(yīng)用于環(huán)境污染物的清除,如降解微生物難以解毒的有機染料、有機氟化物和抗生素,以及重金屬的解毒。然而,光催化技術(shù)的核心是光催化劑,因此設(shè)計一種高效穩(wěn)定的光催化劑來減少生態(tài)破壞是必不可少的。

為了實現(xiàn)這一目標,研究人員探索了大量的光催化劑,并對其在實際應(yīng)用中的可行性進行了研究和驗證。在所有的光催化劑中,g-C3N4因其獨特的石墨狀二維層狀結(jié)構(gòu)而引起了研究人員的最大興趣。根據(jù)最近的報道,g-C3N4中的C和N原子是通過共價鍵結(jié)合的,類似于苯環(huán)的六邊形蜂窩結(jié)構(gòu)。環(huán)與N原子相連,通過氫鍵層層疊加形成塊狀結(jié)構(gòu),使g-C3N4具有穩(wěn)定的物理化學性質(zhì)。同時,g-C3N4成本低、制備工藝簡單、無毒、帶隙合適等諸多優(yōu)點,使g-C3N4成為太陽能光催化技術(shù)發(fā)展中很有前途的材料。而g-C3N4作為單一光催化劑,由于比表面積小,光誘導(dǎo)載體分離轉(zhuǎn)移緩慢,光催化活性較低。


因此,為了滿足實際應(yīng)用,探索和嘗試了多種方法來進一步改善g-C3N4的光催化性能,其中主要方法包括原子摻雜、貴金屬沉積、形態(tài)調(diào)控和缺陷構(gòu)造。其中,引入缺陷被證明是提高純g-C3N4活性的一種可靠方法。缺陷g-C3N4的研究是近年來光催化領(lǐng)域的一個熱點。缺陷可以在光催化劑本體或表面引入。其中,表面空位作為缺陷之一可以捕獲電子,促進光生電子在界面上的轉(zhuǎn)移。


同時,這些表面原子逸出后的位點也可以作為反應(yīng)位點,大大增強了對目標物的吸收,拓寬了光響應(yīng)范圍。例如,張教授的研究團隊制備了表面具有豐富碳缺陷的超薄氮化碳,該材料可以實現(xiàn)強吸附和激活二氮分子。碳缺陷加速了體與表面的光生電荷分離,從而在可見光照射下表現(xiàn)出更高的光催化固氮活性。此外,空位還會影響目標污染物的吸附性能,從而影響目標污染物的配位結(jié)構(gòu)和電子態(tài)。更重要的是,空位的位置、結(jié)構(gòu)和濃度是影響光催化性能的重要因素。


在g-C3N4中引入空位的方法有很多,如在還原氣氛中焙燒、形態(tài)控制和構(gòu)建異質(zhì)結(jié)。但這些方法都存在經(jīng)濟成本高、流程復(fù)雜等固有缺點。因此,制定一個簡單的辦法來建造空缺是一項重要的挑戰(zhàn)。

在本工作中,通過不同濃度的NaBH4溶液對g-C3N4進行表面處理,引入碳空位,提高可見光驅(qū)動的光催化還原性能。采用多種表征方法對處理后的光催化劑的晶體性質(zhì)、微觀形貌和表面狀態(tài)進行了研究和分析。通過光譜測量和理論計算,探討了碳空位對g-C3N4光學性質(zhì)的影響。用可見光驅(qū)動誘導(dǎo)水裂解法對樣品的光催化效率進行了評價,并進行了產(chǎn)氫和Cr(VI)還原實驗。以3NBCN為代表制備的光催化劑,通過4次光催化產(chǎn)氫循環(huán)實驗,探討了NaBH4處理后g-C3N4的穩(wěn)定性。結(jié)果表明,碳空位能顯著促進光生載流子的分離和遷移,擴大整體光吸收和利用,從而提高光催化性能。最后,基于所有測試結(jié)果,探討了光催化性能增強的機理。這項工作開發(fā)了一個實用的策略,以提高g-C3N4的光催化性能。


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